hi-speed ha scritto:
Iceman o qualcun' altro:
con che fotocamera e pellicola hanno scattata questa foto?
as17-148-22727 (quella della terra Apollo 17)

qualcuno voleva dei dati scientifici e allora : Composizione della crosta (Ivan)
chi si fa avanti?

ivan ha scritto:
Perchè in quelle due foto, in una ci sono le stelle e nell'altra no?

Nell altra immagine il soggetto che viene messo a fuoco illuminato dal sole è BIANCO, per cui molto più luminoso.
Di conseguenza per metterlo a fuoco occorre ridurre molto di più l entrata di luce, cosa che "uccide" la quasi totalità della luce stellare.

Ma non ci vuole un genio...

Le stelle non si vedono se si mette a fuoco un oggetto molto illuminato.
Nella prima foto il soggetto non emana molta luce mentre nella seconda si...

è per questo che rimani uno degli unicia continuare a postare imperterrito!

Ivan: Sarà, ma la cosa non mi convince.

Quelle sono foto fatte alla luce della Luna con esposizioni lunghissime. Ovvio che si vedano le stelle.

http://aac.sunrise.it/comete/ikeya-marzo.htm

IVAN MA IN CHE IN LINGUA TE LO DEVO DIRE CHE NON DEVI POSTARE FOTO GIGANTESCHE.

IMPIEGO 3 ORE PER CARICARE LA PAGINA LO CAPISCI O NO!!

ORA PROTESTERò PURE CON LA REDAZIONE.

Che radiazioni INCREDIBILI ci sarebbero di così inaffrontabili??? Sopratutto considerato che le uniche radiazioni veramente pericolose per un periodo così breve sarebbero state quelle solari in presenza di un emissione maggiore(quindi in caso di tempeste particolarmente violente ecc) che però potevano essere previste ed evitate...

The depth of penetration of different frequencies of light into the Earths atmosphere. This shows why we need satellites for X-ray astronomy.

This X-Ray image of the Moon was made by the orbiting Roentgen Observatory Satellite ( ROSAT ) in 1990. It shows three distinct regions: a bright X-ray sky, a bright part of the Moon, and a relatively dark part of the Moon. The bright X-ray sky is due to the diffuse cosmic X-ray background . The bright lunar crescent shines because it reflects X-rays emitted by the Sun . The dark lunar face is in shadow and so stands stands out from the relatively bright background - but, surprisingly it is not completely dark! Where do those X-rays from? They are currently thought to result from energetic particles from the solar wind bombarding the lunar surface.

The Gamma-Ray Moon

Here is an image of the Moon taken in gamma-rays:

....

The gamma rays from the Moon do not come from reflected gamma rays of the Sun. Instead, high energy particles (mostly protons) that are travelling very close to the speed of light, called cosmic-rays, continuously slam into the Moon. When these particles collide with the lunar surface, they react with the particles in the Moon's surface, exciting them and generating gamma rays
...

The Moon is brigher in gamma rays than the quiet Sun!

E che effetto avrebbero dovuto avere sulle pellicole???? Nel vuoto???
Non capisco proprio il problema!
Non si danneggiano i circuiti elettrici(ben più sensibili alle radiazioni!) e si dovrebbe danneggiare una pellicola???

Velatura causata dai raggi X

La velatura provocata dai nuovi scanner per i bagagli è di solito più accentuata di quella causata da altri mezzi. La velatura causata dallo scanner tipo TAC di solito produce strisce larghe da 1 cm a 1,5 cm con i bordi sfumati. L'orientamento della striscia dipende dalla posizione della pellicola rispetto al fascio di raggi X. La striscia può essere ondeggiante o lineare e può essere disposta orizzontalmente o verticalmente sulla pellicola. Può essere anche ondulata, a seconda della combinazione dell'angolo di esposizione e del numero di avvolgimenti della pellicola (vedere immagini di seguito). Tuttavia, la velatura in genere non avrà i segni più tenui prodotti dalle tradizionali apparecchiature a raggi X. Inoltre, questa striscia è più o meno visibile sulle stampe a seconda del contenuto della foto. Le immagini dettagliate che ritraggono fiori, foglie, ecc. possono mascherare o ridurre gli effetti dei raggi X.

Aspetto della velatura

*

Su negativi in bianco e nero - Aree scure come descritto sopra.
*

Su negativi a colori - Aree scure con segni neutri o marroni.
*

Su pellicole di diapositive a colori - Area a densità negativa (chiazze chiare) con segni come descritto sopra.

La velatura causata dalle scansioni ad alta intensità dell'intero bagaglio danneggia tutto il negativo, quindi l'immagine appare sovresposta e a grana grossa. Le immagini scure o nere possono apparire verdi.


Altre condizioni che producono effetti simili alla velatura da raggi X

Determinate condizioni di conservazione delle pellicole possono provocare effetti molto simile alla velatura da raggi X. Più la pellicola è vecchia, più accumula radiazioni attiniche . Con il passare del tempo, le radiazioni presenti nell'ambiente velano gradualmente la grana di alogenuro d'argento più sensibile e la pellicola appare più granulosa. Questo fenomeno si nota maggiormente sulle pellicole da 800 o più sensibili. Anche conservando la pellicola in un luogo fresco o congelandola NON è possibile evitare questo problema. Con il tempo, le radiazioni penetrano o si generano in modo naturale in quasi tutti i materiali.

Il calore può alterare la scala delle tonalità e i colori della pellicola, causando degli effetti simili alla velatura da raggi X. L'entità dei danni dipende dal tipo di pellicola e dalle condizioni di conservazione.

In genere, si possono distinguere i tipi più comuni di velatura da raggi X dai tipici motivi e dalla grana più grossa. Sulle pellicole da 35 mm, le strisce in senso antiorario sono spesso confuse con la velatura da raggi X. Tuttavia, queste strisce sono più prominenti e intervallate in modo più uniforme e tendono a curvarsi in direzione opposta alle perforazioni della pellicola.

Come menzionato in precedenza, la scansione effettuata con alcuni tipi di apparecchiature di sicurezza degli aeroporti produce strisce di densità positiva (chiazze scure) o di densità negativa (chiazze chiare). La velatura può assomigliare a una tipica striscia di luce bianca , come ad esempio quella prodotta dalla luce penetrata da un piccolo foro nell'apparecchiatura. Le caratteristiche tipiche della velatura causata dall'apparecchiatura tipo TAC sono l'ampiezza ben definita delle strisce e una densità uniforme, con una grana più grossa all'interno della striscia. In genere, la striscia si estende su tutta la lunghezza del rullo o è interrotta a causa dell'avvolgimento della pellicola.

La scansione totale del bagaglio effettuata con l'apparecchiatura a raggi X produce una velatura e una grana grossa sull'intera immagine o sull'intero rullo di pellicola.

La velatura non può essere corretta nel laboratorio fotografico

Il laboratorio fotografico non può separare la velatura causata dai raggi X dall'esposizione della fotocamera. Inoltre, siccome la velatura appare spesso a zone, è impossibile correggere questo difetto nel processo di duplicazione o di stampa. Quindi, è necessario fare il possibile per evitare che le pellicole passino attraverso i dispositivi per il controllo bagagli.

Che radiazioni INCREDIBILI ci sarebbero di così inaffrontabili??? Sopratutto considerato che le uniche radiazioni veramente pericolose per un periodo così breve sarebbero state quelle solari in presenza di un emissione maggiore(quindi in caso di tempeste particolarmente violente ecc) che però potevano essere previste ed evitate...

Solar Particles

The particles from solar events are a concern for spacecraft designers. In fact, for spacecraft in orbits exposed to these particles, they are often the driver for setting single event effects requirements. At this time there is no method for predicting when these events will occur.

Ma dico!

Le immagini le guardi o fai finta???

In una immagine(che tra l altro mi pare essere un fotogramma di un filmato ripreso con la cinepresa!)

....

Se tu visioni il filmato vedrai ...

70mm Hasselblad Image Catalog

Apollo 17, Magazine NN

Images AS17-148-22607 to AS17-148-22775

.....
The Apollo Image Atlas is a comprehensive collection of Apollo-Saturn mission photography. Inluded are almost 25,000 lunar images, both from orbit and from the moon's surface, as well as photographs of the earth, astronauts and mission hardware.
....
70mm Hasselblad

LUNAR SURFACE 70mm HASSELBLAD CAMERA
Used for lunar surface color still photography. This camera was adapted from the commercial Hasselblad Superwide Angle camera and could operate on Earth, in space and on the Moon without modification.

70mm HASSELBLAD CAMERA

Ivan: -citazione-[...
Quelle sono foto fatte alla luce della Luna con esposizioni lunghissime. Ovvio che si vedano le stelle.
...]

http://aac.sunrise.it/comete/ikeya-marzo.htm

Non si danneggiano i circuiti elettrici(ben più sensibili alle radiazioni!) e si dovrebbe danneggiare una pellicola???

Radiation effects on electronics
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Fundamental mechanisms

Two fundamental damage mechanisms take place:

* Lattice displacement, caused by neutrons, protons, alpha particles, heavy ions, and very high energy gamma photons. They change the arrangement of the atoms in the lattice, creating lasting damage, and increasing the number of recombination centers, depleting the minority carriers and worsening the analog properties of the affected semiconductor junctions. Counterintuitively, higher doses over short time cause partial annealing ("healing") of the damaged lattice, leading to lower degree of damage than with the same doses delivered in low intensity over a long time. This type of damage is especially important for bipolar transistors, which are dependent on minority carriers in their base regions; increased losses caused by recombination cause loss of the transistor gain. See neutron effects.

* Ionization effects, caused by charged particles, including the ones with energy too low to cause lattice effects. The ionization effects are usually transient, creating glitches and soft errors, but can lead to destruction of the device if they trigger other damage mechanisms, eg. a latchup. Photocurrent caused by ultraviolet and x-ray radiation may belong to this category as well. Gradual accumulation of holes in the oxide layer in MOSFET transistors leads to worsening of their performance, up to device failure when the dose is high enough; see total ionizing dose effects.

The effects can vary wildly depending on all the parameters - the type of radiation, total dose and the radiation flux, combination of types of radiation, and even the kind of the device load (operating frequency, operating voltage, actual state of the transistor during the instant it is struck by the particle), which makes thorough testing difficult, time consuming, and requiring a lot of test samples.
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Resultant effects

The "end-user" effects can be characterized in several groups:

* Neutron effects : A neutron interacting with the semiconductor lattice will displace its atoms. This leads to increase of the count of recombination centers and deep-level defects, reducing the lifetime of minority carriers, thus affecting bipolar devices more than CMOS ones. Bipolar devices on silicon tend to show changes in electrical parameters at levels of 1010 to 1011 neutrons/cm2, CMOS devices aren't affected until 1015 neutrons/cm2. The sensitivity of the devices may increase together with increasing level of integration and decreasing size of individual structures. There is also the risk of induced radioactivity caused by neutron activation, which is a major source of noise in high energy astrophysics instruments. Induced radiation, together with residual radiation from impurities in used materials, can cause all sorts of single-event problems during the device's lifetime. GaAs LEDs, common in optocouplers, are very sensitive to neutrons. Kinetic energy effects (namely lattice displacement) of charged particles belong here too.

* Total ionizing dose effects : The cumulative damage of the semiconductor lattice (lattice displacement damage) caused by ionizing radiation over the exposition time. It is measured in rads and causes slow gradual degradation of the device's performance; total dose greater than 5000 rads delivered to silicon-based devices in seconds to minutes will cause long-term degradation. In CMOS devices, the radiation creates electron-hole pairs in the gate insulation layers, which cause photocurrents during their recombination, and the holes trapped in the lattice defects in the insulator create a persistent gate bias and influence the transistors' threshold voltage, making the N-type MOSFET transistors easier and the P-type ones more difficult to switch on. The accumulated charge can be high enough to keep the transistors permanently open (or closed), leading to device failure. Some self-healing takes place over time, but this effect is not too significant.

* Transient dose effects : The short-time high-intensity pulse of radiation, typically occurring during a nuclear explosion. The high radiation flux creates photocurrents in the entire body of the semiconductor, causing transistors to randomly open, changing logical states of flip-flops and memory cells. Permanent damage may occur if the duration of the pulse is too long, or if the pulse causes junction damage or causes a latchup. Latchups are commonly caused by the x-rays and gamma radiation flash of a nuclear explosion.

* Systems-generated EMP effects (SGEMP) are caused by the radiation flash traveling through the equipment and causing local ionization and electric currents in the material of the chips, circuitboards, cables and cases.

* Single-event effects (SEE) are phenomenons affecting mostly only digital devices; see the following section for an overview of the various types of SEE.

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Digital damage: SEE

Single-event effects (SEE), mostly affecting only digital devices, were not studied extensively until relatively recently. When a high-energy particle travels through a semiconductor, it leaves an ionized track behind. This ionization may cause a highly localized effect similar to the transient dose one - a benign glitch in output, a less benign bit flip in memory or a register, or, especially in high-power transistors, a destructive latchup and burnout. Single event effects have importance for electronics in satellites, aircrafts, and other both civilian and military aerospace applications. Sometimes in circuits not involving latches it is helpful to introduce RC time constant circuits, slowing down the circuit's reaction time beyond the duration of a SEE.

* Single-event upsets (SEU), also called "soft errors" or transient radiation effects in electronics, are state changes of memory or register bits caused by a single ion interacting with the chip. They do not cause lasting damage. In very sensitive devices, a single ion can cause a multiple-bit upset (MBU) in several adjacent memory cells. SEUs can become Single-event Functional Interrupts (SEFI) when they cause placing the device into an undefined state, a test mode, or a halt, which needs a reset or a power cycle for a recovery.

* Single-event latchup (SEL) can occur in any chip with a parasitic PNPN structure. A heavy ion or a high-energy proton passing through one of the two inner-transistor junctions can open the thyristor-like structure, which then stays opened (an effect known as latchup) until the device is power-cycled. As the effect can happen between the power source and substrate, destructively high current can be involved and the part may fail. Bulk CMOS devices are most susceptible.

* Single-event transient (SET) happens when the charge collected from an ionization event discharges in the form of a spurious signal traveling through the circuit. This is de facto the effect of an electrostatic discharge.

* Single-event snapback, similar to SEL but not requiring the PNPN structure, can be induced in N-channel MOS transistors switching large currents, when an ion hits near the drain junction and causes avalanche multiplication of the charge carriers. The transistor then opens and stays opened.

* Single-event induced burnout (SEB) may occur in power MOSFETs when the substrate right under the source region gets forward-biased and the drain-source voltage is higher than the breakdown voltage of the parasitic structures. The resulting high current and local overheating then may destroy the device.

* Single-event gate rupture (SEGR) was observed in power MOSFETs when a heavy ion hits the gate region while a high voltage is applied to the gate. A local breakdown then happens in the insulating layer of silicon dioxide, causing local overheat and destruction (looking like to a microscopic explosion) of the gate region. It can occur even in EEPROM cells during write or erase, when the cells are subjected to a comparatively high voltage.

Iva: Che si sarebbero potuti sprecare un pò di più.

Ivan: Io invece ho l'impressione che non sei in grado di controdedurre.

ivan ha scritto:
Io invece ho l'impressione che non sei in grado di controdedurre.

Le foto dimostrano l'inconsistenza di certe affermazioni.

Dimostrano pure che con mezzi molto modesti, dei modesti cultori dell'astronomia hanno ottenuto risultati fotografici migliori , ma molto migliori e sopratutto molto più consistenti di altri cultori dell'astronomia che avevavo a loro disposizione risorse economiche e materiali immense.

Ma forse questo è il punto: "quelli" non erano cultori dell'astronomia.

Ovvio che non sono in grado di controdedurre, visto che non vuoi in alcun modo chiarire cosa vuoi sapere

Ivan:Io non voglio sapere niente da te, ci mancherebbe altro.

Vi erano delle afferamzioni che le foto le hanno smentito.
Sai controdedurre in merito ?

Ivan: Vedo che continui a menar il can per l'aia, caro Alb.